纵观芯片制造工艺技术 CMOS仍将独领风骚
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正文
一位业内技术专家指出，cmos将在未来的数十年内仍然是芯片工艺技术针对性能和成本的选择。
德州仪器(texas instruments)dsp分部首席专家gene frantz表示，尽管过去10年里cmos工艺和设备技术取得巨大进展，硅技术仍然在理论极限以下表现卓越。他相信，硅将继续在许多年内充当前沿的半导体技术。frantz表示：“硅仍然是技术首选，并将在成本考虑的许多年内依然如故。”
硅晶体管门长的理论极限大约为1.5nm，他指出：“看看当今的65nm cmos工艺，其最小门长为39nm，这仍然大于理论极限的25倍。”对于门延迟来说情况类似，门延迟决定了逻辑的基本速度。理论极限是0.04ps，短于当今65nm逻辑器件可实现延迟的24倍。
根据晶体管密度，极限是在一片芯片上集成每平方厘米15亿只。这仍然比65nm cmos器件所实现的大7倍。
frantz认为，当cmos技术接近其极限时，我们可能不能再应用摩尔定律来进行预测。性能不再是时钟速度问题那么简单，而且与结构并行程度有关。
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